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NTMFS4921NT1G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET 30V 58,5A 6,95 mOhm Single N-Kanal SO-8FL |
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NTMFS4946NT1G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse |
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NTMFS4946N |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse |
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2N7002ET1G |
AUF |
2010+ |
Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
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2N7002ET3G |
AUF |
2010+ |
Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
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2N7002KT1G |
AUF |
2010+ |
Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
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2N7002KT3G |
AUF |
2010+ |
Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
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2N7002LT3G |
AUF |
2010+ |
Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
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BSS138LT1G |
AUF |
2010+ |
Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4) |
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BSS138LT3G |
AUF |
2010+ |
Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4) |
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MMBF170LT1G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET) |
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MMBF170LT3G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET) |
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NTMS4176PR2G |
AUF |
2010+ |
-30V, -9.6.A, P-CH, SO-8 |
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NTMD4840NR2G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET 30 V, 7,5 A, Dual-N-Kanal |
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NTR4101PXXG |
AUF |
2010+ |
Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23 |
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NTR4101PXXH |
AUF |
2010+ |
Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23 |
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NTR4502PT1G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET -30 V, -1,95 A, Single, P-Kanal SOT-23; Gehäuse: SOT-23 (TO-236) 3-POLIG; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter: 100 |
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NTR4502PT3G |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET -30 V, -1,95 A, Single, P-Kanal SOT-23; Gehäuse: SOT-23 (TO-236) 3-POLIG; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter: 100 |
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NTMS4177P |
AUF |
2010+ |
Leistung MOSFET 30V 11,4 A 19 mOhm Single P-Kanal SO-8 |
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MMSF7P03HD |
AUF |
2010+ |
Leistungs-MOSFET 7 A, 30 V, P-Kanal SO8 (7Aï1/430Vï1/4Pæ²éåçMOSFET) |
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