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IRFR9120NCTRPBF	IR	10+	P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡)	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF5210LPBF	IR	10+	HEXFET-Leistungs-MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF9540NLPBF	IR	10+	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117mã , ID = -23A )	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF9530NLPBF	IR	10+	Fortschrittliche Prozesstechnologie Oberflächenmontage	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF9520NLPBF	IR	10+	-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9520NL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
MGSF1N03LT1	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET 30 V, 2,1 A, Single N Channel, SOT23 (30V,2.1A,Næ²é,SOT23å°è£ åçMOSFET)	æåºå	è ̄¢ä»·
NTR4503NT1G	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET 30 V, 2,5 A, einzelner N-Kanal, SOT23 (30 Vï1/42,5 AååçMOSFET)	æåºå	è ̄¢ä»·
NTR4503N	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET 30 V, 2,5 A, einzelner N-Kanal, SOT23 (30 Vï1/42,5 AååçMOSFET)	æåºå	è ̄¢ä»·
MMBF0201NLT1G	AUF	2010+	Leistung MOSFET 300 mAmpere, 20 Volt NâChannel SOTâ23	æåºå	è ̄¢ä»·
MGSF2N02ELT3G	AUF	2010+	2,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23	æåºå	è ̄¢ä»·
MGSF2N02ELT3	AUF	2010+	2,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23	æåºå	è ̄¢ä»·
MGSF2N02ELT1G	AUF	2010+	2,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23	æåºå	è ̄¢ä»·
MGSF2N02ELT1	AUF	2010+	2,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23	æåºå	è ̄¢ä»·
MTD5P06VT4G	AUF	2010+	Leistung MOSFET 5 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500	æåºå	è ̄¢ä»·
MTP20N15EG	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET 150V 20A 130 mOhm Single N-Kanal TO-220	æåºå	è ̄¢ä»·
MTP23P06VG	AUF	2010+	Leistung MOSFET 23 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50	æåºå	è ̄¢ä»·
NTB30N20G	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50	æåºå	è ̄¢ä»·
NTB35N15T4G	AUF	2010+	Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50	æåºå	è ̄¢ä»·
NTB35N15G	AUF	2010+	Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50	æåºå	è ̄¢ä»·
NTB5605PG	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET -60 Volt, -18,5 Ampere	æåºå	è ̄¢ä»·