æéæçμè· ̄é¦åæ ̄æ¥è ̄¢ Ein B C D E F G H Ich J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
éæ©ç1/4©ç¥å3/4ç1/4å·å¶é åæ¹å·è ̄'æèμæåºåè ̄¢ä»·
IRLR9343TRLPBF IRLR9343TRLPBF IR 10+ -55-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR9343TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5505CTRPBF IRFR5505CTRPBF IR 10+ P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡) æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5505CTRLPBF IRFR5505CTRLPBF IR 10+ P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡) æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5505CPBF IRFR5505CPBF IR 10+ P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡) æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5305CTRPBF IRFR5305CTRPBF IR 10+ -55 V, P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (-55 V, Pæ²é HEXFETåçMOSåºæåºç®¡) æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5305CPBF IRFR5305CPBF IR 10+ -55 V, P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (-55 V, Pæ²é HEXFETåçMOSåºæåºç®¡) æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF IR 10+ Fortschrittliche Prozesstechnik æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z24NLPBF IRF9Z24NLPBF IR 10+ -60-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NL mit bleifreier Verpackung æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF IR 10+ Fortschrittliche Prozesstechnik æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF IR 10+ Fortschrittliche Prozesstechnik æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF IR 10+ -55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NS mit bleifreier Verpackung æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z24NSPBF IRF9Z24NSPBF IR 10+ -55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NS mit bleifreier Verpackung æåºå è ̄¢ä»·
IRF9Z24NSTRRPBF IRF9Z24NSTRRPBF IR 10+ -55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NSTRR mit bleifreier Verpackung æåºå è ̄¢ä»·
IRF9520NPBF IRF9520NPBF IR 10+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IRFU5410PBF IRFU5410PBF IR 10+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IRFU9120NPBF IRFU9120NPBF IR 10+ LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 2280; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 113; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; P æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF IR 10+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF IR 10+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5410PBF IRFR5410PBF IR 10+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IRFR9120NTRRPBF IRFR9120NTRRPBF IR 10+ P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡) æåºå è ̄¢ä»·