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HAT2099H |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2160H |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2164H |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2165H |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2165N |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2166H |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2270H |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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HAT2283H |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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RJK0302DPB |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 50; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm) |
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RJK0303DPB |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0031; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0043]; RDS (ON) typ. (Ohm) |
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RJK0331DPB |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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RJK0349DPA |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 45; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0024; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0031]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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RJK0351DPA |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0032; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0043]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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RJK0358DPA |
RENESAS |
10+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 38; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,0038 (5,0 V); RDS (ON) typ. (o |
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HAT2099H-EL-E |
RENESAS |
10+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2160H-EL-E |
RENESAS |
09+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2165H-EL-E |
RENESAS |
09+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2166H-EL-E |
RENESAS |
09+PB |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2270H-EL-E |
RENESAS |
09+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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HAT2283H-EL-E |
RENESAS |
09+PB |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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