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HAT2199WP |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 15; Pch : 10; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0125; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0165]; RDS (ON) typ. (Ohm) |
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HAT2173H |
RENESAS |
10+ |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2173H-EL-E |
RENESAS |
10+ |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2244WP |
RENESAS |
10+ |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2279H |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): 80; Kennung (A): 30; Pch : 25; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0095; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,011]; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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HAT2140H |
RENESAS |
10+ |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT2169H-EL-E |
RENESAS |
10+ |
Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung |
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HAT1020R |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): -30; Kennung (A): -5; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,04; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,07; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 |
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HAT1128R |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): -30; Kennung (A): -18; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -; C |
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HAT1047R |
RENESAS |
10+ |
ç¡ PééåçMOS FETçé«éçμæºå1/4å ³ |
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HAT1036R |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): -30; Kennung (A): -12; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,011; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,021; RDS (ON) typ. (Ohm) @ |
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HAT1024R |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): -30; Kennung (A): -3,5; Pch : 3; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,12; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,2; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V |
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HAT1026R |
RENESAS |
10+ |
MOSFET, schaltend; VDSS (V): -30; Kennung (A): -7; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,028; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,04; RDS (ON) typ. (Ohm) @2. |
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RSS110N03FD5TB |
Rohm Halbleiter |
10+ |
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
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RK7002AT116 |
Rohm Halbleiter |
10+ |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
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RK7002T116 |
Rohm Halbleiter |
10+ |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
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RSR020N06 |
ST |
10+ |
4V Antrieb Nch MOSFET; Gehäuse: TSMT3; Liste der Konstitutionsmaterialien: Verpackungsart: Klebeband; Packungsinhalt: 3000 |
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RSR030N06 |
ST |
10+ |
4V Antrieb Nch MOSFET; Gehäuse: TSMT3; Liste der Konstitutionsmaterialien: Verpackungsart: Klebeband; Packungsinhalt: 3000; |
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STB120NF10T4 |
ST |
10+ |
N-KANAL 100V - 0,009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
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STB120NF10 |
ST |
10+ |
N-KANAL 100V - 0,009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
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