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IRF6721STRPBF |
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2010+ |
Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6721STR1PBF |
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2010+ |
Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6727MTRPBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte |
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IRF6727MTR1PBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte |
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IRF6726MTRPBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6726MTR1PBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6725MTRPBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6725MTR1PBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRL7833LPBF |
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2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL8113LPBF |
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2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3709ZLPBF |
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2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3709ZCLPBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3707ZLPBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3707ZCLPBF |
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2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL2203NLPBF |
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2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRL2203NL mit bleifreier Verpackung |
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IRF3709LPBF |
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2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF1503LPBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF3707LPBF |
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2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRL3803LPBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRL3303LPBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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