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HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR8259TRPBF |
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10+ |
25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8259PBF |
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10+ |
25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8256TRPBF |
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10+ |
25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8256PBF |
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10+ |
25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRF6717MTRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6717MTR1PBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6709S2TRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6709S2TR1PBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6797MTRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6797MTR1PBF |
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10+ |
Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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