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IRF6795MTRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6710S2TRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6710S2TR1PBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6713STRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6713STR1PBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6715MTRPBF |
IR |
10+ |
Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6715MTR1PBF |
IR |
10+ |
Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6714MTR1PBF |
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10+ |
Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 29 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6716MTRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6716MTR1PBF |
IR |
10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6712STRPBF |
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10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6712STR1PBF |
IR |
10+ |
Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF7757TRPBF |
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10+ |
20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
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IRF7757PBF |
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10+ |
20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
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IRF5852TRPBF |
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10+ |
20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5852TR mit bleifreier Verpackung |
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IRF5851TRPBF |
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10+ |
20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET im Micro 6 Gehäuse; Ähnlich wie IRF5851TR mit bleifreier Verpackung. |
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IRF3711ZPBF |
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10+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3704ZPBF |
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10+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL3715ZPBF |
IR |
10+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL3714ZPBF |
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10+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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