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555-2009F |
DLT |
10+ |
LED-Lampe; Farbe: Rot; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja |
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PBSS302PZ.135 |
PH3 |
10+ |
20 V, 5,5 A PNP Low VCEsat (BISS) Transistor |
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BC857B,215 |
NXP (Englisch) |
10+ |
PNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管) |
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SI3585DV-T1-E3 |
VISHAY |
10+ |
MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an) |
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PZTA28 |
FAIRC |
10+ |
Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:8; Reihe:; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe der Steckerschale: 12; Zirkulärer Kontakt Geschlecht |
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BZD27C39P-GS08 |
VISHAY |
10+ |
Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation |
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MMUN2214LT1G |
LRC |
10+ |
Bias-Widerstands-Transistor |
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SUD40N10-25-E3 |
SECHS |
10+ |
MOSFET; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 100 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:40A; Einschaltwiderstand, Rds(on):25mohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:10V; Bleihaltiger Prozess |
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SI4463BDY-T1-E3 |
VISHAY |
10+ |
MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen |
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MMSZ5270BT1G |
AUF |
10+ |
Zener-Spannungsregler |
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BC817-40.215 |
NXP (Englisch) |
10+ |
NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈) |
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PH4830L.115 |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein): [email protected] V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V |
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BZG03C33TR |
11+PB |
10+ |
4,096 V Mikroleistung, Precisions Series Mode Spannungsreferenzen; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Temperaturbereich: Industrie |
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SI4840DY-T1-E3 |
VISHAY |
10+ |
MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol |
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SI6433BDQ-T1-E3 |
VISHAY |
10+ |
20V P-Kanal PowerTrench MOSFET |
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BC856B,215 |
PH |
10+ |
Ic = 100 mA; Gehäuse: PG-SOT23-3; Polarität: PNP; VCEO (max): 65,0 V; VCBO (max): 80,0 V; IC(max): 100,0 mA; ICM (max): 200,0 mA; |
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STP150NF55 |
ST |
10+ |
-KANAL 55V - 0,005 Ohm -120A Dî PAK/TO-220/TO-247 STripFETâ© II POWER MOSFET |
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869.115 BC |
NXP (Englisch) |
10+ |
PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管) |
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SI4946BEY-T1-E3 |
KRAFT |
10+ |
Dualer N-Kanal 60 V (D-S) 175 ºC MOSFET |
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BAV99S,115 |
NXP (Englisch) |
10+ |
Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0 |
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