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BZD27C39P-GS08
- æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
- 产åå称ï1/4Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
- ååï1/4VISHAY
- ç产æ¹å·ï1/410+
- å°è£ ï1/4SOT-123
- åºåç¶æï1/4æåºå
- åºåéï1/4303000
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-
Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
ä ̧BZD27C39P-GS08ç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BAR64V-02V
| VISHAY | 03+ | SOD523 | |
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PBSS302PZ.135
| PH3 | 10+ | SOT-223 | 20 V, 5,5 A PNP Low VCEsat (BISS) Transistor |
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BC857B,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | PNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管) |
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SI3585DV-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSOP-6 | MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an) |
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PZTA28
| FAIRC | 10+ | SOT-223 | Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:8; Reihe:; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe der Steckerschale: 12; Zirkulärer Kontakt Geschlecht |
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MMUN2214LT1G
| LRC | 10+ | SOT-23 | Bias-Widerstands-Transistor |
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SUD40N10-25-E3
| SECHS | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 100 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:40A; Einschaltwiderstand, Rds(on):25mohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:10V; Bleihaltiger Prozess |
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SI4463BDY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen |
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MMSZ5270BT1G
| AUF | 10+ | SOD-123 | Zener-Spannungsregler |
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IRFP450PBF
| IR | 13+ | TO-247 | 大åçMOS管 |
çé ̈æç'¢
VISHAYåç产åæ ̈è
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
SI4463BDY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen |
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SI4840DY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol |
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SI6433BDQ-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSSOP8 (Englisch) | 20V P-Kanal PowerTrench MOSFET |
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IRFB20N50KPBF
| VISHAY | 10+ | TO-220AB | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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SI4947ADY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP8 | Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja; Peak-Reflow-kompatibel (260 °C):Ja RoHS-konform: Ja |
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SI4410BDY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET |
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SI6433BDQ-T1-GE3
| Vishay | 10+ | TSSOP-8 | 20V P-Kanal PowerTrench MOSFET |
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GL41Y
| VISHAY | 11+ | DO-213AB | äºæ管 |
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WSC25151R000FEA
| VISHAY | 10+ | 2515 | |
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SI4948BEY
| VISHAY | 11+ | SOP-8 | åºæåºç®¡ |
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SI7858BDP-T1-GE3
| VISHAY | 11+ | QFN8 | Néé12 Vï1/4DSï1/4çMOSFET |
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SS3P4-E3/84A
| VISHAY | 10+PB | DO-220AA | äºæ管 |
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DG212BDY-T1-E3
| VISHAY | 11+ | EINTUNKEN | è1/2¬æ¢è ̄ç |
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PR03000202208JAC00
| VISHAY | 10+ | DIP | éå±èçμé» 2.2 Ohm 3W +/-5% |
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Artikel-Nr.: 50N024-09
| VISHAY | 10+ | TO-252 | åºæåºç®¡ |
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1,5 KE62 A
| VISHAY | 10+ | DO-201AD | äºæ管 |
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FEP30DP
| VISHAY | 10+11+ | TO-247 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
|
FEP30FP
| VISHAY | 10+11+ | TO-247 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
|
FEP30HP
| VISHAY | 10+11+ | TO-247 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
|
FEP30GP
| VISHAY | 10+11+ | TO-247 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |