产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
BC817-40.215
- æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
- 产åå称ï1/4NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈)
- ååï1/4NXP (Englisch)
- ç产æ¹å·ï1/410+
- å°è£ ï1/4SOT23
- åºåç¶æï1/4æåºå
- åºåéï1/42133000
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-
NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈)
ä ̧BC817-40.215ç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
MMUN2214LT1G
| LRC | 10+ | SOT-23 | Bias-Widerstands-Transistor |
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SUD40N10-25-E3
| SECHS | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 100 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:40A; Einschaltwiderstand, Rds(on):25mohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:10V; Bleihaltiger Prozess |
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SI4463BDY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen |
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MMSZ5270BT1G
| AUF | 10+ | SOD-123 | Zener-Spannungsregler |
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IRFP450PBF
| IR | 13+ | TO-247 | 大åçMOS管 |
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PH4830L.115
| NXP (Englisch) | 10+ | Standardpac | N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein): [email protected] V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V |
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BZG03C33TR
| 11+PB | 10+ | DO-214AC | 4,096 V Mikroleistung, Precisions Series Mode Spannungsreferenzen; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Temperaturbereich: Industrie |
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SI4840DY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol |
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SI6433BDQ-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSSOP8 (Englisch) | 20V P-Kanal PowerTrench MOSFET |
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BC856B,215
| PH | 10+ | NA | Ic = 100 mA; Gehäuse: PG-SOT23-3; Polarität: PNP; VCEO (max): 65,0 V; VCBO (max): 80,0 V; IC(max): 100,0 mA; ICM (max): 200,0 mA; |
çé ̈æç'¢
NXPåç产åæ ̈è
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
PH4830L.115
| NXP (Englisch) | 10+ | Standardpac | N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein): [email protected] V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V |
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869.115 BC
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT89 | PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管) |
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BAV99S,115
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0 |
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BAS16.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT23-3 | Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管) |
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PMEG4020EP.115
| NXP (Englisch) | 10+ | PBFREE | 2 A Low Vf MEGA Schottky-Barrier-Gleichrichter, SOD128 (FlatPower), Reel Pack, SMD |
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BC847C,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | NPN-Allzweck-Transistor |
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SA58631
| NXP (Englisch) | 10+ | HVQFN8 | SA58631 Serie 6 db - 30 db Gain 3 W BTL Audioverstärker - HVSON - 8 |
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ASC8850
| NXP (Englisch) | 10+ | å1/4åæ¿ | asc8850 é«æ ̧ æåæºå1/4åå H.264 1080P |
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PESD3V3L5UY
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT363 | |
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HEF4073BP
| NXP (Englisch) | 09+ | DIP | é»è3/4è ̄çï1/43线è3/4å ¥ |
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PNX1302EH
| NXP (Englisch) | 10+ | QFN | æ§å¶å ̈ |
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PDTC143TU
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-323-3 | é«åäºæ管 |
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PMBFJ177
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-23 | |
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PCF8583P
| NXP (Englisch) | 10+11+ | DIP | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
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CPC2132FBD64
| NXP (Englisch) | 10+11+ | LQFP64 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
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PCA9554PW
| NXP (Englisch) | 10+11+ | TSSOP16 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
|
PCA9557PW
| NXP (Englisch) | 10+11+ | TSSOP16 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
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BT137M-800F
| NXP (Englisch) | 10+11+ | TO-252 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
|
BT137M-600F
| NXP (Englisch) | 10+11+ | TO-252 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
|
BT137M-500F
| NXP (Englisch) | 10+11+ | TO-252 | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |