DG212BDY
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

DG212BDY

  • æå±ç±»å«ï1/4å1/4å ³
  • 产ååç§°ï1/4Analoger Schalter / Multiplexer (Mux) IC; Einschaltwiderstand, Rds(ein):85ohm; Analoge Schaltfunktion: Allzweck; Leckstrom: 0,5 nA; Versorgungsspannung max.:
  • ååï1/4VISHAY
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4SOIC-16
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4ç¹å»æ¥æ3/4DG212BDYçpdfèμæ
  • ç¹å»è ̄¢ä»·
èç³»æä»¬ 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

DG212BDY Analoger Schalter / Multiplexer (Mux) IC; Einschaltwiderstand, Rds(ein):85ohm; Analoge Schaltfunktion: Allzweck; Leckstrom: 0,5 nA; Versorgungsspannung max.: 44 V; Gehäuse:16-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Nein RoHS-konform: Nein

ä ̧DG212BDYç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CD4541BE TI2010+DIP14CMOSå ̄ç1/4ç ̈宿¶å ̈é«çμåç±»åï1/420Vç差饷ï1/4ï1/4å ̄ç1/4ç ̈æ ̄è¡å ̈/计æ°å ̈ï1/4
ADC122S051CIMM NSC10+MSOP-82ééï1/4200 kspsçä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
TB3100M-13 DIODEN10+DO-214AA50Aæ¡çååè¡ ̈é¢è''è£ æ¶é ̧®¡æμªæ¶ä¿æ¤å ̈
BAT54C NXP (Englisch)11+SOT-23å°ä¿¡å·èç¹åºäºæç®¡
Nr. CD4001 TI10+SOP14CMOS åè· ̄ 2 è3/4å ¥æéé ̈
ADC122S021CIMMX NSC09+MSOP8 (Englisch)2ééï1/450è³200 kspsçkspsç12ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC122S021CIMM NSC10+8-MSOP2ééï1/450è³200 kspsçkspsç12ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC121S101CIMFX NSC11+SOT23-6åééï1/450è³200 kspsæ¶ï1/412ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC121S101CIMF NSC09+SOT-23-6åééï1/450è³200 kspsæ¶ï1/412ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC121S051CIMFX NSC11+SOT23-6åééï1/4200è³500 kspsæ¶ï1/412ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æåº§ RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIPç»§çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT

VISHAYåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SI2304BDS Vishay10+SOT-23N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI2304BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI2328DS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308DS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308DS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
SI2308BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308BDS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
IRF1010 Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mOhm, Id = 84 A
IRF1310S Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF1310 Vishay10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF510STRRPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRR Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRLPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRL Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510SPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510S Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510PBF Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF511 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ RES 4.75K-OHM 1% 0.125W 100PPM DICKSCHICHT-SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
IRF512 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ N-Kanal Leistungs-MOSFETs, 5,5 A, 60-100V

åç±»æ£ç'¢