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IGB15N60T
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IGB15N60T

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  • 产åå称ï1/4å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 3
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IGB15N60T IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP™ 2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 30,0 A; IC(max) @ 100°: 15,0 A

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IGD515EI INFINEON10+æ ̈¡å驱å ̈æ ̈¡å
IGD06N60T INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 12
IGD01N120H2 INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGB30N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 6
IGB03N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25
IGB01N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管GBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGA03N120H2 INFINEON10+TO-220Få¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: -; Ich
IDW75E60 INFINEON10+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 75,0 A; ZF (max): 120,0 A; IF,SM (max): 220,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40,0
IDW100E60 INFINEON1012+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 100,0 A; WENN (max): 150,0 A; IF,SM (max): 400,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40.

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ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
9001-18481C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
CIR013106T01031819SCNP0406 ITT Interconnect-Lösungen2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
CIR013106T01031819SCYP0406 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
110IMX35D12D12-8G Bel Power Lösungen24+继çμå ̈DC-DC-WANDLER 12V 12V 12V 35W
SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+继çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
UTS6JC10E6S SOURIAU-SONNENBANK23+è¿æ¥å ̈CONN PLUG FMALE 6P GOLD SLDR CUP
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0-1103277-1 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Anschlussgehäuse M 12 POS Crimp ST Kabelhalterung Grau Lose
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
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CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER

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IGB03N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25
IGB01N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管GBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGA03N120H2 INFINEON10+TO-220Få¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: -; Ich
IDW75E60 INFINEON10+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 75,0 A; ZF (max): 120,0 A; IF,SM (max): 220,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40,0
IDW100E60 INFINEON1012+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 100,0 A; WENN (max): 150,0 A; IF,SM (max): 400,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40.
IDP45E60 INFINEON10+PG-TO220-2600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP45E120 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP23E60 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP18E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP15E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP12E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP09E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP09E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP06E60 INFINEON10+TO-220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP04E120 INFINEON10+TO-220èç¹åºäºæ管1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDD23E60 INFINEON10+SOT-252èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD15E60 INFINEON10+SOT-252èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD09E60 INFINEON2010+PG-TO252-3å¿«æ¢å¤äºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD06E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA
IDD03E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 3,0 A; WENN (max): 7,3 A; IF,SM (max): 16,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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