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IGP06N60T INFINEON10+TO-220Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop- und Fieldstop-Technologie
IGP03N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 3,2 A; IC(max)
IGP01N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 3,2 A; IC(max)
IGD616IT1 INFINEON10+æ ̈¡å驱å ̈æ ̈¡å
IGD615AI INFINEON10+æ ̈¡å驱å ̈æ ̈¡å
IGD06N60T INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 12
IGD01N120H2 INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGB30N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 6
IGB15N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 3
IGB03N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

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IGD06N60T INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 12
IGD01N120H2 INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGB30N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 6
IGB15N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 3
IGB03N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25
IGB01N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管GBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGA03N120H2 INFINEON10+TO-220Få¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: -; Ich
IDW75E60 INFINEON10+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 75,0 A; ZF (max): 120,0 A; IF,SM (max): 220,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40,0
IDW100E60 INFINEON1012+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 100,0 A; WENN (max): 150,0 A; IF,SM (max): 400,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40.
IDP45E60 INFINEON10+PG-TO220-2600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP45E120 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP23E60 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP18E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP15E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP12E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP09E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP09E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP06E60 INFINEON10+TO-220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP04E120 INFINEON10+TO-220èç¹åºäºæ管1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDD23E60 INFINEON10+SOT-252èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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