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RJK0302DPB
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RJK0302DPB

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  • 产åå称ï1/4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 50; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm)
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RJK0302DPBMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 50; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -; Ciss (pF) typ: 4200; TOFF (μS) Typ: 54; Paket: LFPAK

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RJK0302DPB RENESAS10+PBTO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 50; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm)

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PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0

RENESASåç产åæ ̈è


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RJK0303DPB RENESAS10+PBSOT669MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0031; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0043]; RDS (ON) typ. (Ohm)
RJK0331DPB RENESAS10+PB5-LFPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0349DPA RENESAS10+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 45; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0024; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0031]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0351DPA RENESAS10+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0032; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0043]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0358DPA RENESAS10+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 38; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,0038 (5,0 V); RDS (ON) typ. (o
HAT2099H-EL-E RENESAS10+PBSOT223Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2160H-EL-E RENESAS09+PBTO252-4Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2165H-EL-E RENESAS09+PBSOT669Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2166H-EL-E RENESAS09+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2270H-EL-E RENESAS09+PBLFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2283H-EL-E RENESAS09+PBLFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2183WP-EL-E RENESAS09+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 150; Kennung (A): 20; Pch : 30; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,057; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2183WP RENESAS09+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 150; Kennung (A): 20; Pch : 30; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,057; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2140H-EL-E RENESAS09+PBTO252-4Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2174H RENESAS09+PBTO252-4Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2141H RENESAS09+PBLFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2141H-EL-E RENESAS09+PBLFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
RJK0304DPB RENESAS10+TO252-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 50; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,004; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0055]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0305DPB RENESAS10+SOT669MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch : 45; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0067; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,01]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
HAT2200WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 100; Kennung (A): 20; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,022; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,023 (8 V); RDS (ON) typ. (Ohm

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