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IPS521å åä¿æ¤é«åä3/4§åçMOSFETå1/4å ³VOLLSTÄNDIG GESCHÜTZTER HIGH-SIDE-POWER-MOSFET-SCHALTER

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SI4435DYTRPBF IR2010+SOP-8-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4435DYTR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle
IRLMS1503TRPBF IR2010+SOT23-630-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS1503TR mit bleifreier Verpackung
IRF7821PBF IR2010+SOP-8HEXFET-Leistungs-MOSFET
RS502L SEP08+DIP-4大μæμç¡ æ'æμ
IR1168STRPBF IR2010+SOP-8200-V-Dual-Smart-High-Speed-SR-Controller auf der Sekundärseite in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse. Wird zur Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs verwendet, die als synchroner Gleichrichter verwendet werden
IR2117STRPBF IR2010+SOP-8Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IRF7342TRPBF IR2010+SOP-8-55 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7342TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2184PBF IR2010+DIP-8Halbbrückentreiber, SoftTurn-On, Einzeleingang plus invertierende Abschaltung, 500 ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2184 in einem bleifreien 8-poligen
RS502 SEP/MIC09+DIP-4åç ̧ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IRF7606TRPBF IR2010+MSOP-8.-30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

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IR2117STRPBF IR2010+SOP-8Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IRF7342TRPBF IR2010+SOP-8-55 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7342TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2184PBF IR2010+DIP-8Halbbrückentreiber, SoftTurn-On, Einzeleingang plus invertierende Abschaltung, 500 ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2184 in einem bleifreien 8-poligen
IRF7606TRPBF IR2010+MSOP-8.-30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRG4BC40SPBF IR2010+TO-220ABç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçæ åé度 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Standard-Speed-IGBT
IRF7809AVTRPBF IR2010+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7809AVTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRLR3410TRLPBF IR2010+D-pak100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR3410TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7507TRPBF IR2010+MSOP-820V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7507 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2175SPBF IR2010+SOIC-8线æ§çμæμæåºéæçμè· ̄LINEARER STROMMESS-IC
IRF1404STRRPBF IR2010+TO-26340-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF1404STRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel rechts
IRFZ44NSTRLPBF IR2010+TO-26355-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFZ44NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF6617TR1PBF IR2010+LCCEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive
IRF7316TRPBF IR2010+SOP-8.-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF9530NPBF IR2010+TO-220-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung.
IRF8721TRPBF IR2010+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert
IRFP044NPBF IR2010+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IR21592SPBF IR2010+SOP16Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592S mit Le
PVT312PBF IR2010+DIP250V 1 Form A Photovoltaik-Relais in einem 6-poligen DIP-Gehäuse; Ähnlich wie PVT312 mit bleifreier Verpackung
IRF7832PBF IR2010+SOP-8HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRFZ34NSPBF IR2010+TO-263HEXFETâ Leistungs-MOSFET

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