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Si7850DP
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Si7850DP

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  • 产ååç§°ï1/4Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET
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Si7850DP Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:60V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:6,2A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,031 Ohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:10V; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Nein

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SI7850DP-T1-E3 VISHAY/SILIKONIX10+N/Aå ̈æ°åè£ è¿å£ï1/4馿 ̧ ̄ç°è'§
Si7850DP VISHAY10+PBSOT-23Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET

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SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æåº§ RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIPç»§çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT

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SI2301BDS VISHAY10+PBSOT-23NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
Si2307CDS VISHAY10+PBSOT-23NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
Si4425DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4屿¬¡ï1/4PowerTrenchTM MOSFET MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Drain-Source-Spannung, Vds:-30V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:-11A; On-Resistanc
Si4435DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4屿¬¡ï1/4çPowerTrench MOSFETç
Si4925DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4屿¬¡ï1/4çPowerTrench MOSFETç
Si4431CDY VISHAY11+SOP-8Pæ²é30 Vçï1/4å ̄ï1/4MOSFETç
Si9435BDY VISHAY11+SOP-8Péé30Vï1/4D-Sï1/4MOSFET MOSFET
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BYV26D VISHAY2011SOD-57å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
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GUFB15M VISHAY07+DO-151.5å®å¹è¶ å¿«çå1/4å ³MEGAGLEICHRICHTER 1.5 Ampere ULTRASCHNELL SCHALTENDE MEGAGLEICHRICHTER
BYV36A VISHAY07+SOD-57è¶ é«éä1/2æå¤±æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æ'æμå ©̈ï1/4Fast Recovery Power Rectifier; Nennstrom: 2A; Eigenschaften: Ultraschnelle Wiederherstellung; Durchlassstrom: 2A; Vorwärtsstrom Ø Re

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