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BZB784-C6V8,115
| PH3 | 10+ | | Spannungsregler Doppeldioden |
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PMBT2369.215
| PH3 | 10+ | | NPN-Schalttransistoren(NPNå1/4å ³æ¶ä1/2管 |
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1N4728A,113
| PH3 | 10+ | | Ein Watt Zener |
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PMBT3904VS.115
| PH3 | 10+ | | NPN-Schalttransistor(NPNå1/4å ³åæ¶ä1/2管 |
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BZV55-C3V9,115
| PH3 | 10+ | Band | Dioden für Spannungsregler |
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2PC4081S,115
| PH3 | 10+ | | Papierkondensator; Nennspannung: 400 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Papier; Kapazität: 4uF; Kapazitätstoleranz: +/- 10%; Steigung der Leitung: 20,64 mm; Blei |
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BAT54L,315
| PH3 | 10+ | | Schottky-Diode |
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3.115 PUMB
| PH3 | 10+ | | Doppeltransistor mit PNP-Widerstand; R1 = 4,7 kOhm |
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BC850BW.115
| PH3 | 10+ | | Ic = 100 mA; Gehäuse: PG-SOT323-3; Polarität: NPN; VCEO (max): 45,0 V; VCBO (max): 50,0 V; IC(max): 100,0 mA; ICM (max): 200,0 mA; |
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BZV55-B39,115
| PH3 | 10+ | | Dioden für Spannungsregler |
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BZX84-C13,215
| PH3 | 10+ | | Dioden für Spannungsregler |
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BCX70H,215
| PH3 | 10+ | | NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管) |
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PMBD914.215
| PH3 | 10+ | SOT23 | Hochgeschwindigkeits-Diode( é«éäºæ管 |
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BZB784-C7V5,115
| PH3 | 10+ | | Spannungsregler Doppeldioden |
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BAS17.215
| PH3 | 10+ | SOT23 | Niederspannungs-Stabilisierungsdiode (ä1/2åç ̈³åäºæ管) |
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BCV62C,215
| PH3 | 10+ | | Transistoren für Stromspiegelanwendungen; Gehäuse: PG-SOT143-4; Polarität: PNP; VCEO (max): 30,0 V; Zapfwelle (max): 300,0 mW; hFE (min): 420,0 - 800,0; |
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BAS416,115
| PH3 | 10+ | MPQ3000 | Diode mit geringem Leckstrom |
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PMBTA56.215
| PH3 | 10+ | PH3 | PMBTA56.215 |
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BSS138P.215
| PH3 | 10+ | PH3 | 50-V-N-Kanal-Logikpegelverstärkungsmodus-Feldeffekttransistor; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel |
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BSP89,115
| PH3 | 10+ | | N-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs (20 V bis 800 V); Gehäuse: PG-SOT223-4; Gehäuse: SOT-223; VDS (max): 240,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6.000,0 mOhm; RDS (ein) ( |