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BZD27C5V6P-GS08
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BZD27C5V6P-GS08

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  • 产åå称ï1/4Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
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BZD27C5V6P-GS08

Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation

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FSB619 FAIRCHILD10+SOP23NPN Low Saturation Transistor(éçμæçμæμè3/43/43AçNPNä1/2饱åçμåæ¶ä1/2管)
BAS70,215 NXP (Englisch)10+BandSchottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管)
SML-LX1206SUGC-TR LUM10+ LED ALINGAP ULT GRN CLR 1206 SMD
BAR43AFILM ST10+NARundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:55; Serie:MS27467; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses:17; Zirkulärer Kontakt
BZX84C6V2LT1G AUF10+SOT23Zener-Spannungsregler
B32524Q1226K EPCOS11+Nr. B32524Polyester-Folienkondensatoren 22uF 100Volt 10%
SMAZ18-13-F DIODEN10+DO214AC(SMA1,0 W OBERFLÄCHENMONTIERBARE ZENERDIODE
SI9410BDY-T1-E3 Vishay10+SOP8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V
BAS416,115 PH310+MPQ3000Diode mit geringem Leckstrom
BAS21.215 NXP (Englisch)10+SOT-23Allzweck-Dioden(éç ̈äºæ管)

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SHKE470-110-n. Chr. AUSLAUGEN25+继çμå ̈继çμå ̈座
SHKED470-110-n. Chr. AUSLAUGEN25+继çμå ̈继çμå ̈座
ADIS16575-2BMLZ INSERAT25+Modul6 DOF Prec IMU, 8 g (450 DPS D)
N/MS3108B20-4P JAE Elektronik2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, 4 Kontakt(e), Kunststoff, Stecker, Lötanschluss, Stecker
62IN-18F-10-6S Amphenol Corporation2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
NLS-N-BK-C70-M40BEPN250 ITT24+è¿æ¥å ̈NLS-N-BK-C70-M40B EPN250
V93BR Mors Smitt24+è¿æ¥å ̈V93BRæ座-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå 裮8æ
V17-D MORSSMITT24+继çμå ̈继çμå ̈æ座æå1/4¹ç°§ç« ̄å
VGE1TS181900L SOURIAU-SONNENBANK24+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL Spec Endgehäuse BACKSHELL SZ18
KEYSTONE26 Keystone Elektronik24+è¿æ¥å ̈ÖSE 0,187" MESSING VERZINNT
KPSE06E14-19SA206 ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular SKT 19 POS Crimp ST Kabelhalterung 19 Klemme 1 Port
KPSE06J14-19P ITT24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER
W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
D-U204-E Mors Smitt24+DIPç¬æ¶ç»§çμå ̈
PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W

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SI9410BDY-T1-E3 Vishay10+SOP8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V
SI4442DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:22A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):4,5 mOhm; Rds(ein) Test V
BAR64V-02V VISHAY03+SOD523 
SI3585DV-T1-E3 VISHAY10+TSOP-6MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an)
BZD27C39P-GS08 VISHAY10+SOT-123Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
SI4463BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen
SI4840DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol
SI6433BDQ-T1-E3 VISHAY10+TSSOP8 (Englisch)20V P-Kanal PowerTrench MOSFET
IRFB20N50KPBF VISHAY10+TO-220ABHEXFET-Leistungs-MOSFET
SI4947ADY-T1-E3 VISHAY10+SOP8Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja; Peak-Reflow-kompatibel (260 °C):Ja RoHS-konform: Ja
SI4410BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay10+TSSOP-820V P-Kanal PowerTrench MOSFET
GL41Y VISHAY11+DO-213ABäºæ管
WSC25151R000FEA VISHAY10+2515 
SI4948BEY VISHAY11+SOP-8åºæåºç®¡
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY11+QFN8Néé12 Vï1/4DSï1/4çMOSFET
SS3P4-E3/84A VISHAY10+PBDO-220AAäºæ管
DG212BDY-T1-E3 VISHAY11+EINTUNKENè1/2¬æ¢è ̄ç
PR03000202208JAC00 VISHAY10+DIPéå±èçμé» 2.2 Ohm 3W +/-5%
Artikel-Nr.: 50N024-09 VISHAY10+TO-252åºæåºç®¡

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