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NTMFS4833NT3G
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NTMFS4833NT3G

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  • 产ååç§°ï1/4Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
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NTMFS4833NT3GLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL

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NTMFS4833NT3G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL

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SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æåº§ RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIPç»§çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT

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NTMFS4108NT1G AUF2010+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 35 A, einkanaliges SO-8-Flachleitungsgehäuse; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro C
NTMFS4119NT3G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
NTMFS4119NT1G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
MGSF1N02LT1 AUF2010+SOTâ23Leistungs-MOSFET 30 V, 2,1 A, Single N Channel, SOT23 (30V,2.1A,Næ²é,SOT23å°è£ åçMOSFET)
NTR4501NT1G AUF2014+SOTâ23Leistungs-MOSFET 20 V, 3,2 A, Single NâChannel, SOTâ23
NTMFS4921NT1G AUF2010+QFNLeistungs-MOSFET 30V 58,5A 6,95 mOhm Single N-Kanal SO-8FL
NTMFS4946NT1G AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
NTMFS4946N AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
2N7002ET1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002ET3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002LT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
BSS138LT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
BSS138LT3G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
MMBF170LT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)
MMBF170LT3G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)
NTMS4176PR2G AUF2010+SOP-8-30V, -9.6.A, P-CH, SO-8
NTMD4840NR2G AUF2010+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 7,5 A, Dual-N-Kanal
NTR4101PT1G AUF2014+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23

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