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RJK0355DSP
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RJK0355DSP

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  • 产åå称ï1/4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 12; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0085; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,012]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
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RJK0355DSPMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 12; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0085; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,012]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -; Ciss (pF) typ: 860; Toff (μS) Typ: -; Gehäuse: SOP-8

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RJK0355DSP RENESAS10+PBSOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 12; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0085; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,012]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2

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TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.

RENESASåç产åæ ̈è


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RJK0366DSP RENESAS10+PBSOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 11; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,09; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0125]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2.
RJK0369DSP RENESAS10+PBSOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 9; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,012; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,016]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5
RJK0371DSP RENESAS10+PBSOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 8; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,014; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,019]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5
HAT2099H RENESAS10+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2160H RENESAS10+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2164H RENESAS10+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2165H RENESAS10+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2165N RENESAS10+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2166H RENESAS10+PBLFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2270H RENESAS10+PBLFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2283H RENESAS10+PBLFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0029; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,004]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0302DPB RENESAS10+PBTO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 50; Pch : 60; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm)
RJK0303DPB RENESAS10+PBSOT669MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0031; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0043]; RDS (ON) typ. (Ohm)
RJK0331DPB RENESAS10+PB5-LFPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0035]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0349DPA RENESAS10+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 45; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0024; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0031]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0351DPA RENESAS10+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0032; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0043]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0358DPA RENESAS10+PBQFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 38; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0026; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,0038 (5,0 V); RDS (ON) typ. (o
HAT2099H-EL-E RENESAS10+PBSOT223Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2160H-EL-E RENESAS09+PBTO252-4Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2165H-EL-E RENESAS09+PBSOT669Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

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