åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
BSO4822XT
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm |
LM2902PWR
| TI | 08+ | TSSOP | ç¬æçμåæå¶å ̈ |
IR1150IPBF
| IR | 10+ | DIP-8 | IR1150IPBF,åºæåºç®¡ |
SB152M
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
8ETH06PBF
| IR | 07+ | TO-220 | 8ETH06PBF,æ'æμå ̈ ,Hyperschneller Gleichrichter |
BSO4822
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm |
BSO4804XT
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm |
BSO4804
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm |
BSO4420XT
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm; |
BSO4420
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm; |