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RS410G
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4A 10V Schottky-Gleichrichter; Gehäuse: SMC; Anzahl der Pins: 2; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
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| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IR2181PBF
| IR | 10+ | DIP8-KARTON | é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA |
|
IRLZ24NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung |
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IRF1010EZPBF
| IR | 10+ | TO-220AB | åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî |
|
RS410L
| RECTRON | 09+ | DIP-4 | èç¹åºæ'æμå ̈ |
|
IRFR4615TRLPBF
| IR | 10+ | D-PAK | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
|
IRFB4615PBF
| IR | 10+ | TO220 | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
|
RS410
| SEP/MIC | 09+ | DIP | åç ̧ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
RS408M
| RECTRON | 10+ | DIP | ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
RS408L-BP
| RECTRON | 10+ | DIP | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
IRFR2405TRPBF
| IR | 2011 | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
çé ̈æç'¢
LTSEPåç产åæ ̈è
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
RS405G
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
RS1510
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | æ'æμäºæ管 |
|
RS1508
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | åç ̧ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
GBJ1502G
| LTSEP | 09+ | DIP | 第15Aæ¡ç»çéåæ'æμæ¡¥ |
|
BR2510L
| LTSEP | 09+ | DIP4 | åç ̧ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
BR2507L
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
BR2501L
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | ç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |