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IRLZ24NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung |
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IRF1010EZPBF
| IR | 10+ | TO-220AB | åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî |
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IRFR4615TRLPBF
| IR | 10+ | D-PAK | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRFB4615PBF
| IR | 10+ | TO220 | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRFR2405TRPBF
| IR | 2011 | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF1503SPBF
| IR | 2011 | TO-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRG4PSC71UDPBF
| IR | 2011 | TO-247 | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
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IR2112STRPBF
| IR | 2011 | SOP-16 | High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IRLZ44NPBF
| IR | 2011 | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung |
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IRF7406TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2104STRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | Halbbrückentreiber, Einzeleingang plus invertierender Abschaltstift, feste Totzeit von 520 ns in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2104 in einem 8-poligen SOIC im Lieferumfang enthalten |
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IRAMY20UP60B
| IR | 10+ | PLZ-18 | Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:18; Serie:MS27505; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses: 15; Zirkulärer Kontakt |
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IRFR5505TRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | -55-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR5505TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF2804PBF
| IR | 10+ | TO-220 | æ±1/2è1/2¦MOS管 |
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IRFZ32
| IR | 2010+ | TO-220 | TRANSISTOR | MOSFET | N-KANAL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
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IRF7470PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IR2113STR
| IR | 06+ | SOP-16 | High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2113 verpackt in |
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IR21592STRPBF
| IR | 10+ | SOP16 | Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592STR mit |
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IRG4PC40UDPBF
| IR | 10+ | TO-247 | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
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IPS1051LTRPBF
| IR | 2009+ | SOT-223 | å/åééæºè1/2åçä1/2è3/4¹å1/4å ³ EIN-/ZWEIKANALIGER INTELLIGENTER POWER-LOW-SIDE-SCHALTER |