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IDB09E120
| Infineon | 2010+ | TO-263 | 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
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IDB06E60
| Infineon | 2010+ | TO-263 | 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
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IDB04E120
| Infineon | 2010+ | TO-263 | 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
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ID82C52
| INTERSIL | 2010+ | CDIP-28 | CMOSä ̧²è¡æ§å¶å ̈æ¥å£ CMOS Serial Controller Interface |
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ICL7667MJA/883B
| INTERSIL | 2010+ | DIP-8 | åçμæºMOSFET驱å ̈å ̈ Dual Power MOSFET-Treiber |
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HSMP-3864-TR
| AGILENT | 2010+ | SOT-23 | è¡ ̈é¢è''è£ PINäºæ管 Oberflächenmontierbare PIN-Dioden |
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HN4D02JU
| TOSHIBA | 2010+ | SOT23-5 | è¶ é«éå1/4å ³åºç ̈ Ultra High Speed Switching Anwendungen |
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RS202
| SEP | 08+ | KBP-2 | 2.0å®å¹æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
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RS2010
| SEP/REKTOR | 09+ | DIP-4 | 20.0å®å¹ãè¡ ̈é¢è''è£ èç¹åº |
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HIP6006CB-T
| INTERSIL | 09+ | SOP14 | çμåæ ̈¡å1/4å1/4å ³çμæºæ§å¶å ̈ Abwärts- und Synchrongleichrichter-PWM-Controller (Pulse-Width Modulator); Temperaturbereich: 0 °C bis 70 °C; Gehäuse: 14-SOIC T&R |