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IPB160N04S2L-03
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- 产ååç§°ï1/4OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
- ååï1/4INFINEON
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IPB160N04S2L-03 OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
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IPB180N04S3-02
| INFINEON | 10+ | TO-263 | Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
IPB180N03S4L-H0
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB180N03S4L-01
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB160N04S4-H1
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB160N04S3-H2
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7 | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB160N04S2-03
| INFINEON | 10+ | TO-263-6 | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB120N06S4-H1
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt |
IPB120N06S4-03
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt |
IPB120N06S4-02
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt |
IPB100N10S3-05
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-3 | OptiMOSâ Leistungstransistor |
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IPB160N04S2-03
| INFINEON | 10+ | TO-263-6 | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB120N06S4-H1
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt |
IPB120N06S4-03
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt |
IPB120N06S4-02
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt |
IPB100N10S3-05
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-3 | OptiMOSâ Leistungstransistor |
IPB100N08S2L-07
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | OptiMOSâ Leistungstransistor |
IRLMS6802TRPBF
| INFINEON | 11+ | SOT23-6 | -20-V-Single-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS6802TR mit bleifreier Verpackung |
IRLMS6802TR
| INFINEON | 11+ | SOT-163 | -20-V-Single-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ein IRLMS6802 mit Tape-and-Reel-Verpackung |
IRLMS6702TRPBF
| INFINEON | 11+ | SOT23-6 | 20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ein IRLMS6702 mit Tape-and-Reel-Verpackung |
IRLMS5703TR
| INFINEON | 11+ | SOT-163 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ein IRLMS5703 mit Tape-and-Reel-Verpackung |
IPB100N08S2-07
| INFINEON | 11+ | TO-263 | åçæ¶ä1/2管 |
IPB100N06S3-03
| INFINEON | 11+ | TO263-3-2 | åçæ¶ä1/2管 |
IPB100N06S2L-05
| INFINEON | 11+ | TO263-3-2 | åçæ¶ä1/2管 |
IPB100N06S2-05
| INFINEON | 11+ | TO263-3-2 | åçæ¶ä1/2管 |
IPB100N04S3-03
| INFINEON | 11+ | TO263-3 | åçæ¶ä1/2管 |
IPB100N04S2-04
| INFINEON | 11+ | PG-TO263-7 | åçæ¶ä1/2管 |
IFX91041EJV
| INFINEON | 11+ | SOP8 | 线æ§ç ̈³åå ̈ |
IFX8117ME
| INFINEON | 11+ | SOT223-4 | 线æ§ç ̈³åå ̈ |
IFX2931G
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | 线æ§ç ̈³åå ̈ |
IFX25401TEV
| INFINEON | 11+ | PG-TO252-5 | 线æ§ç ̈³åå ̈ |