IPB120N06S4-02 Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOS-T2™; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; RthJC (max.): 0,8 K/W;