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JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück

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1SS53 NEC06+DO-35äºæ管
B1J3P NECNï1/4ADIPNï1/4A
UPD68805GCY02 NEC01+TQFPå ̈æ°åè£ ç°è'§
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D78CP14DW NECN/ADIPéè
82C55AC-2 NEC1108+DIP-40å ̄ç1/4ç ̈å¤å'æ¥å£çCMOS
uPA2733GR NEC11+SOP-8å1/4å ³çP -æ²éåçMOSFET SCHALTENDER P-KANAL POWER MOSFET
uPA2714GR NEC11+SOP-8å1/4å ³çP -æ²éåçMOSFET SCHALTENDER P-KANAL POWER MOSFET
uPA2713GR NEC11+SOP-8å1/4å ³çP -æ²éåçMOSFET SCHALTENDER P-KANAL POWER MOSFET
uPA2719AGR NEC2011+SOIC-8å1/4å ³çP -æ²éåçMOSFET
uPA2718GR NEC11+SOP-8åºæåºç®¡
uPA2716AGR NEC2011+SOP-8å1/4å ³çP -æ²éåçMOSFET
uPA2717GR NEC2011+SOP-8å1/4å ³çP -æ²éåçMOSFET
2SB548 NEC2010+TO-126è¿æ¥å / NPNç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管ä1/2é¢åæ3/4 PNP/NPN SILIZIUM-EPITAXIE-TRANSISTOR FÜR NIEDERFREQUENZ-LEISTUNGSVERSTÄRKER
2SA1220A NEC2010+TO-126è¿æ¥å / NPNç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管 PNP/NPN SILIZIUM-EPITAXIE-TRANSISTOR
Artikel-Nr.: 2SD669 NEC2010+TO-126NPN Epitaktischer planarer Siliziumtransistor für 100V/120V, 1A Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranwendungen (ç ̈äº100V/120Vï1/41Aä1/2é¢åçæ3/4大å ̈åºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管)
Nr. 2SD414 NEC2010+TO-126NPN Epitaktischer planarer Siliziumtransistor für 100V/120V, 1A Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranwendungen (ç ̈äº100V/120Vï1/41Aä1/2é¢åçæ3/4大å ̈åºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管)
2SC2690A NEC2010+TO-126è¿æ¥å / NPNç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管 PNP/NPN SILIZIUM-EPITAXIE-TRANSISTOR
Nr. 2SD998 NEC2010+TO-126Darlington Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren aus Kunststoff(äºè¡¥åè3/43/4æé¡¿ç¡ åçæ¶ä1/2管)

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