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SI2323DS-T1-E3
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SI2323DS-T1-E3

  • 所属类别:MOS管
  • 产品名称:
  • 厂商:SIX
  • 生产批号:10+
  • 封装:SOT-23
  • 库存状态:有库存
  • 库存量:58500
  • 最低订购量:1
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技术/目录信息 SI2323DS-T1-E3
销售商 Vishay/Siliconix (VA)
分类 分离式半导体产品
安装类型 表面贴装
FET 型 P 沟道
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 在 4.7A、4.5V 时为 39 毫欧
输入电容(Ciss) @ Vds 1020pF @ 10V
功率 - 最大 750mW
包装 Digi-Reel®
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V
封装/外壳 SOT-23
无铅状态 Lead Free
ROHS状态 RoHS Compliant
其它名称 SI2323DS T1 E3
SI2323DST1E3
SI2323DS T1 E3DKR ND
SI2323DST1E3DKRND
SI2323DS-T1-E3DKR

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型号厂商批号封装说明
SI2323DS-T1-E3 SIX10+SOT-23 

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