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IHLP1212AEERR33M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 0,22 uH 20% 8,5A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212AEERR22M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 0,22 uH 20% 8,5A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212AEER1R0M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 1uH 20% 3,9 A abgeschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212ABERR33M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP-Serie 1212 0,33 uH 20 % 7,2 A abgeschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212ABERR68M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 0,68 uH 20 % 4 A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212ABERR56M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 0,56 uH 20 % 5,1 A abgeschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212AEERR47M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 0,47 uH 20 % 6,7 A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212AEERR68M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 0,68 uH 20 % 5,4 A abgeschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
IHLP1212AEER1R5M11
| Vishay | 14+ | 1212 | IHLP Serie 1212 1,5 uH 20 % 2,7 A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
LM21212AMHX-1/NOPB
| NS | 13+ | TSSOP-20 | DC/ DCå1/4å ³è1/2¬æ¢å ̈ |
DS92LV1212AMSA/NOPB
| | 10+11+ | | é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£ |
SG1212A
| TI | 97+ | Nï1/4A | Nï1/4A |
DS92LV1212AMSAX
| NSC | 10+ | SSOP-28 | 16å èμ«- 40 MHzç10ä1/2æ»çº¿çLVDS解ä ̧²å ̈ä ̧éæºéå®åμå ¥å1/4æ¶éæ¢å¤ |
DS92LV1212AMSA
| NSC | 09+ | SSOP28 | 16å èμ«- 40 MHzç10ä1/2æ»çº¿çLVDS解ä ̧²å ̈ä ̧éæºéå®åμå ¥å1/4æ¶éæ¢å¤ |
DS92LV1212A
| NSC | 10+ | SSOP-28 | DS92LV1212A 16-40 MHz 10-Bit-Bus-LVDS-Random-Lock-Deserializer mit integrierter Taktwiederherstellung; Paket: SSOP-EIAJ; Anzahl der Stecknadeln: 28; Menge pro Gebinde: 20 |