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PCA9530D.112
| NXP (Englisch) | 10+ | | UARTS UND EXPANSIONSPRODUKTE |
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IRF9530N
| IR | 05+ | TO-220 | å ̈æ°åè£ |
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BH9530KS2
| ROHM | 02+ | TQFP-80 | å ̈æ°åºå |
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IRF9530NS
| IR | 05+ | TO-220 | å ̈æ°åè£ |
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IRF9530NLPBF
| IR | 10+ | TO-262 | Fortschrittliche Prozesstechnologie Oberflächenmontage |
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IRF9530STRR
| IR | 10+ | TO-263 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFETs (12A, 100V, 0.300 Ohm,Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF9530STRL
| IR | 10+ | TO-263 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFETs (12A, 100V, 0.300 Ohm,Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF9530SPBF
| IR | 10+ | TO-263 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFETs (12A, 100V, 0.300 Ohm,Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF9530S
| IR | 10+ | TO-263 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFETs (12A, 100V, 0.300 Ohm,Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF9530PBF
| IR | 10+ | TO-220 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFETs (12A, 100V, 0.300 Ohm,Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF9530NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 100V Nééåºæåºç®¡-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9530NSTRL mit bleifreier Verpackung |
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IRF9530NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | Nééåºæåºç®¡ Advanced Process Technology Surface Mount |
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IRF9530NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung. |
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X9530
| INTERISL | 08+ | PLCC | X9530ï1/4æ ̧©åº¦è¡¥å¿æ¿å äºæ管æ§å¶å ̈ï1/4å ̧¦æ ̧©åº¦è¡¥å¿çæ¿å äºæ管æ§å¶å ̈ï1/4ï1/4Temperaturkompensierter Laserdioden-Controller |
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TPS79530
| TI | 10+ | EINTUNKEN | åéé LDO |
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ELM9530B-S
| ULME | 10+ | SOT-89 | |
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SFP9530
| FSC (englisch) | 09+/10+ | TO-220 | |
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SFP9530
| FSC (englisch) | 07+ | TO-220 | |
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SFP9530
| FSC (englisch) | 07+ | TO-220 | |
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SFP9530
| FAIRCHILD | 08+ | TO-220 | |