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SAA-XC866-4FRA
| INFINEON | 10+ | TSSOP-38 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TSSOP-38; Maximale Taktfrequenz: 26,67 MHz; SRAM (inkl. Cache): 0.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D-Eingang |
SAA-XC866-4RRA
| INFINEON | 10+ | TSSOP-38 | XC866-Serie |
SAA-XC866L-1FRA
| INFINEON | 10+ | TSSOP-38 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TSSOP-38; Maximale Taktfrequenz: 26,67 MHz; SRAM (inkl. Cache): 0.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D-Eingang |
SAA-XC866L-2FRA
| INFINEON | 10+ | TSSOP-38 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TSSOP-38; Maximale Taktfrequenz: 26,67 MHz; SRAM (inkl. Cache): 0.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D-Eingang |
SAA-XC866L-4FRA
| INFINEON | 10+ | TSSOP-38 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TSSOP-38; Maximale Taktfrequenz: 26,67 MHz; SRAM (inkl. Cache): 0.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D-Eingang |
SAA-XC886-6FFA
| INFINEON | 10+ | TQFP-48 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li |
SAA-XC886-8FFA
| INFINEON | 10+ | TQFP-48 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li |
SAA-XC886C-8FFA
| INFINEON | 10+ | TQFP-48 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li |
SAA-XC886CLM-6FFA
| INFINEON | 10+ | TQFP-48 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li |
SAA-XC886CM-8FFA
| INFINEON | 10+ | TQFP-48 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li |
SAA-XC886LM-6FFA
| INFINEON | 10+ | TQFP-48 | Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li |
ICE3A1065LJ
| INFINEON | 10+ | DIP-8 | CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -; |
ICE3A1065L
| INFINEON | 10+ | DIP-8 | 离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈ç»è/æ¶èçCoolMOSâ©åéåå ³éæ ̈¡å1/4 |
ICE3A1065ELJ
| INFINEON | 10+ | DIP-8 | CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -; |
ICE3A1065
| INFINEON | 10+ | DIP-8 | CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -; |
ICE3A0565Z
| INFINEON | 10+ | DIP7-KARTON | 线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈åå /çCoolMOS |
ICE3A0365
| INFINEON | 10+ | DIP-8 | CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 0,3 A; RDS (ein) (typisch): 6,45 Ohm; Ptot (max): -; |
ICE2QS03G
| INFINEON | 10+ | SOP-8 | PWM-QR; Gehäuse: PG-DSO-8; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; VCC (min): 11,0 V; VCC (max): 27,0 V; ICC (max): 2,0 mA; |
ICE2QS02G
| INFINEON | 10+ | SOP-8 | PWM-QR; Gehäuse: PG-DSO-8; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; VCC (min): 11,0 V; VCC (max): 27,0 V; ICC (max): 2,0 mA; |
ICE2QS01
| INFINEON | 10+ | DIP-8 | PWM-QR; Gehäuse: PG-DIP-8; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; VCC (min): 11,0 V; VCC (max): 27,0 V; ICC (max): 3,6 mA; |