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SAA-XC886LM-6FFA
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SAA-XC886LM-6FFA

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  • 产åå称ï1/4Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li
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SAA-XC886LM-6FFA Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A/D-Eingangsleitungen (inkl. FADC): 8; Programmspeicher: 24.0 KByte

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2W04G VISHAY10+ å1/42.0Aç»çéåæ'æμæ¡¥
SAA-XC886C-8FFA INFINEON10+TQFP-48Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li
SAA-XC886CLM-6FFA INFINEON10+TQFP-48Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li
SAA-XC886CM-8FFA INFINEON10+TQFP-48Phasengesteuerte Thyristoren bis 1800 V; Gehäuse: PG-TQFP-48; Maximale Taktfrequenz: 24,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 1.75 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingang li
2W04 FAIRCHILD10+AM RB-10ç»çåç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
ICE3A1065LJ INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -;
2W02M SC10+DIPæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
ICE3A1065L INFINEON10+DIP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈ç»è/æ¶èçCoolMOSâ©åéåå ³éæ ̈¡å1/4
ICE3A1065ELJ INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3A1065 INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -;

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PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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ICE3A1065LJ INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3A1065L INFINEON10+DIP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈ç»è/æ¶èçCoolMOSâ©åéåå ³éæ ̈¡å1/4
ICE3A1065ELJ INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3A1065 INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 1,0 A; RDS (ein) (typisch): 2,95 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3A0565Z INFINEON10+DIP7-KARTON线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈åå /çCoolMOS
ICE3A0365 INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 0,3 A; RDS (ein) (typisch): 6,45 Ohm; Ptot (max): -;
ICE2QS03G INFINEON10+SOP-8PWM-QR; Gehäuse: PG-DSO-8; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; VCC (min): 11,0 V; VCC (max): 27,0 V; ICC (max): 2,0 mA;
ICE2QS02G INFINEON10+SOP-8PWM-QR; Gehäuse: PG-DSO-8; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; VCC (min): 11,0 V; VCC (max): 27,0 V; ICC (max): 2,0 mA;
ICE2QS01 INFINEON10+DIP-8PWM-QR; Gehäuse: PG-DIP-8; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; VCC (min): 11,0 V; VCC (max): 27,0 V; ICC (max): 3,6 mA;
ICE2QR4765 INFINEON10+DIP-8PWM-QR; Gehäuse: PG-DIP-8; Anträge:-; Ausgang: 5V; VCC (min): 10,5 V; VCC (max): 25,0 V; ICC (max.): 2,3 mA
ICE2BS01 INFINEON10+SOP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B765P2 INFINEON10+TO-220-6离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B765P INFINEON10+TO-220-6离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B765I INFINEON10+PG-TO220-6-离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B365 INFINEON2010DIP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B265 INFINEON2010DIP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B165 INFINEON2010DIP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2B0565 INFINEON2010DIP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650V / 800VççCoolMOS
ICE2AS01G INFINEON2010SOP-8èå®1/2è°å¶éæçμè· ̄
ICE2AS01 INFINEON2010SOP-8èå®1/2è°å¶éæçμè· ̄

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