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IRLR3715PBF
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IRLR3715PBF

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IRLR3715PBF20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLR3714 mit Tape-and-Reel-Verpackung

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IRL3715PBF IR10+TO-22020-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRLU3715PBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLR3715PBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLR3714 mit Tape-and-Reel-Verpackung

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KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈

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IRLR3714TRRPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLR3714 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IRLR3714TRPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLR3714 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IRLR3714PBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLR3714 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IRLR3714TRLPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLR3714 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IRFR3704TRPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
IRFR3704TRRPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
IRFR3704TRLPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
IRFR3706TRPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3706TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRFR3706TRLPBF IR2010+TO-25220-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3706TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRFR3704PBF IR2010+TO-252MOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFR3706PBF IR2010+D-PakMOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFR3706CTRRPBF IR2010+D-PakMOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFR3706CTRPBF IR2010+D-PakMOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFR3706CTRLPBF IR2010+D-PakMOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFR3706CPBF IR2010+D-PakMOSFETçå1/4å ³çμæº
IRF3711ZLPBF IR2010+SOT-26320-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCL mit bleifreier Verpackung
IRF3711ZCLPBF IR2010+SOT-26320-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCL mit bleifreier Verpackung
IRF3704ZLPBF IR2010+SOT-263SMPS-MOSFET HEXFETâLeistungs-MOSFET
IRF3704ZCLPBF IR2010+SOT-263SMPS-MOSFET HEXFETâLeistungs-MOSFET
IRL3715ZLPBF IR2010+SOT-263SMPS-MOSFET HEXFETâLeistungs-MOSFET

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