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IRFU3711Z
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IRF3711Z IR05+Nï1/4ANï1/4A
IRF3711ZL IR05+Nï1/4ANï1/4A
IRF3711ZCS IR05+Nï1/4ANï1/4A
IRFU3711Z IR05+TO-251Nï1/4A
IRF3711ZPBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFU3711ZPBF IR10+TO-251Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,2 bis 5,5; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRLPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRRPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRF3711ZLPBF IR2010+SOT-26320-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCL mit bleifreier Verpackung
IRF3711ZCLPBF IR2010+SOT-26320-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCL mit bleifreier Verpackung
IRF3711ZSPBF IR2010+TO-26320-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF3711ZCSPBF IR2010+TO-26320-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF3711ZSTRRPBF IR2010+TO-26320-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF3711ZSTRLPBF IR2010+TO-26320-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF3711ZCSTRRP IR2010+TO-26320-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF3711ZCSTRLP IR2010+TO-26320-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3711ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links

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F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206

IRåç产åæ ̈è


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IRF3808S IR05+D2PAKå ̈æ°åè£
IRF7703TR IR05+SO-8Nï1/4A
IRF2203N IR05+TO-220Nï1/4A
IRFL210 IR05+SOT-223åè£
IRFU3303PBF IR10+TO-251Miniaturschalter, hohe Präzision
IRLU3303PBF IR10+TO-251Miniaturschalter, hohe Präzision
IRLU2703PBF IR10+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLU2703 mit bleifreier Verpackung
IRLU8729PBF IR10+TO-25130-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse
IRLU8726PBF IR10+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse
IRLI3803PBF IR10+TO-220FHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLI2203NPBF IR10+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR8743TRPBF IR10+D-PakHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR8743PBF IR10+D-PakHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR8721TRPBF IR10+SOT252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR8721PBF IR10+SOT252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR7843TRRPBF IR10+SOT252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR7843TRLPBF IR10+SOT252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR7843PBF IR10+SOT252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR7833TRRPBF IR10+D-pakHEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4,5mã , Qg = 33nC )
IRLR7833TRLPBF IR10+D-pakHEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4,5mã , Qg = 33nC )

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