ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRF7805APBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
æ ¬ ¢è ¿ç '¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF7805APBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/430V أحادي N قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ على غرار IRF7805TR مع عبوة خالية من الرصاص على الشريط والبكرة
  • ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å ° è £ ï1/4الإجراء التشغيلي الموحد 8
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/425000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4ç¹å»æ¥æ3/4IRF7805APBFçpdfèμæ
  • ç¹å»è ̄¢ä»·
èç³»æ们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF7805APBF30V أحادي N قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ على غرار IRF7805TR مع عبوة خالية من الرصاص على الشريط والبكرة

ä ̧IRF7805APBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
IRF7805APBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 830V أحادي N قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ على غرار IRF7805TR مع عبوة خالية من الرصاص على الشريط والبكرة

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
جاي. جي آي. OX-16 JAE للإلكترونيات2023+è ¿æ ¥å ̈16 # ééå ̈
RCS20M-12RD28 سوريو صن بانك2023+è ¿æ ¥å ̈جهات اتصال مواصفات MIL التعميم اتصل
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 م 5 ك Ω / 129 ° çμä1 / 2å ̈
CU-U-201-GE مورس سميت24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 حلول الربط البيني ITT24+è ¿æ ¥å ̈CIR 30C 24 # 16 6 # 12 قابس الدبوس
SPCI-001-500 欧米è24+تراجعè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T / C 线ï1 / 4ç»ç'å3 / 4ï1 / 4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500 çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2'
ET-JL06-18 JAE للإلكترونيات2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-MISC JAE للإلكترونيات24+è ¿æ ¥å ̈27 ص
مركز مصادر التعلم من LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512مقاومات الإحساس الحالية - SMD 2 واط .005 أوم 1٪
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 موصلات AB25+è ¿æ ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥ ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 موصلات AB25+è ¿æ ¥å ̈onnector عكس حربة اقتران دائري RCP 14S-5 ST صندوق جبل - السائبة
ABB1240KLKF80P3 موصلات AB24+è ¿æ ¥å ̈حجم دبوس الاتصال 12. سلك AWG 40
ABB1240KPKF80P3 موصلات AB24+è ¿æ ¥å ̈حجم دبوس الاتصال 12. سلك AWG 40
RDE7U3A472J4K1H03B شركة موراتا للتصنيع المحدودة24+تراجعمكثف: سيراميك ، 4.7 نانوفهرنهايت ، 1 كيلو فولت ، U2J ، ±5٪ ، THT ، 5 مم
C195S/24EV-U2 æ²å ° ç¹å®24+تراجعè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§¹ä»·åºå2000ª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 موصلات AB24+è ¿æ ¥å ̈موصل مواصفات MIL دائري ER 5C 5 # 16S قابس SKT
RDE7U3A150J2K1H03B شركة موراتا للتصنيع المحدودة24+çμ容مكثف: سيراميك ، 15pF ، 1kV ، U2J ، ±5٪ ، THT ، 5 مم
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE للإلكترونيات24+è ¿æ ¥å ̈رأس كون R / A 34POS 2.54 مم
A22NN-BG-NWA-G101-NN شركة عمرون24+æé®ASSM ، FG ، PLAS BZL ، WHTE ، 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
سي -1106437 اتصال TE24+è ¿æ ¥å ̈ملحقات موصل هود يموت يلقي الألومنيوم قطعة فضفاضة

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
IRF7805ATRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 830V أحادي N قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ على غرار IRF7805TR مع عبوة خالية من الرصاص على الشريط والبكرة
IRF7413PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET باور MOSFET
IRF7807APBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8مجموعة شرائح HEXFET㢠لمحولات DC-DC
IRF7807TRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8مجموعة شرائح HEXFET㢠لمحولات DC-DC
IRF7807PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8مجموعة شرائح HEXFET㢠لمحولات DC-DC
IRF7805ZGTRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7805ZGPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7805QTRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7805QPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7413QTRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7413QPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7319PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET㢠الطاقة MOSFET
IRF7319TRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 830 فولت ثنائي N و P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7319TR مع عبوة خالية من الرصاص على الشريط والبكرة
IRF7389TRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET باور MOSFET
IRF7389PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراء التشغيلي الموحد 8HEXFET باور MOSFET
IRF7309PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراءات التشغيلية الموحدة 830 فولت ثنائي N و P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7309 مع عبوات خالية من الرصاص
IRF7379PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراءات التشغيلية الموحدة 8HEXFET باور MOSFET
IRF7403TRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراءات التشغيلية الموحدة 8HEXFET باور MOSFET
IRF7403PBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراءات التشغيلية الموحدة 8HEXFET باور MOSFET
IRF9952TRPBF الاشعه تحت الحمراء2010+الإجراءات التشغيلية الموحدة 830 فولت ثنائي N و P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ على غرار IRF9952TR مع عبوات خالية من الرصاص على الشريط والبكرة

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com 2010-2011© MCCT粤ICPå¤14056028å·