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IRF3709ZCSPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3709ZSPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3707ZCSTRRP
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3707ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3707ZCSPBF
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3707ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3707ZSPBF
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3707ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3707ZSTRRP
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3707ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3707ZSTRLP
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3707ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3707ZCSTRLP
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3707ZCSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF2903ZSTRRP
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF2903ZSPBF auf Tape and Reel ausgeliefert |
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IRF2903ZSTRLP
| IR | 10+ | TO-263 | 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF2903ZSPBF auf Tape and Reel ausgeliefert |
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IRF2903ZSPBF
| IR | 10+ | D2-pak | MOSFET FÜR DIE AUTOMOBILINDUSTRIE |
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IRF8852TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem bleifreien SO-8-Gehäuse, das für hocheffiziente DC/DC-Wandler ausgelegt ist |
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IRF8852PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem bleifreien SO-8-Gehäuse, das für hocheffiziente DC/DC-Wandler ausgelegt ist |
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IRFH5250TR2PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem bleifreien SO-8-Gehäuse, das für hocheffiziente DC/DC-Wandler ausgelegt ist |
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IRFH5250TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem bleifreien SO-8-Gehäuse, das für hocheffiziente DC/DC-Wandler ausgelegt ist |
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IRF8252TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem bleifreien SO-8-Gehäuse, das für hocheffiziente DC/DC-Wandler ausgelegt ist |
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IRF8252PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem bleifreien SO-8-Gehäuse, das für hocheffiziente DC/DC-Wandler ausgelegt ist |
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IRF7105QTRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7105QPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLU8713PBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |