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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
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INFINEONåç产åæ ̈è


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IFX1117GS INFINEON10+SOT-223çμåè°èå ̈
IFX1054G INFINEON10+SOP-14Industrielle Transceiver; Gehäuse: PG-DSO-8; Übertragungsratemax: 1,0 Mbit/s; Bus-Wake-up-Funktion: Nein; Zusätzliche Funktionen: RM, INH; Wake-up-Eingänge
IFX1050G INFINEON10+SOP-8Industrielle Transceiver; Gehäuse: PG-DSO-8; Übertragungsratemax: 1,0 Mbit/s; Bus-Wake-up-Funktion: Nein; Zusätzliche Funktionen: RM, INH; Wake-up-Eingänge
ICE3DS01LG INFINEON10+SOP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº500Vå ̄å ̈åå
ICE3BS03LJG INFINEON10+SOP-8WM-FF (fixed frequent) ICs; Gehäuse: PG-DSO-8; ICC (max): 2,5 mA; Anwendungen: Offline-Schaltnetzteile; Ausgang: MOSFET-Gate-Treiber; Funktion: Strommodus PWM;
ICE3BS02L INFINEON10+DIP8-KARTON离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº500Vå ̄å ̈ç»èåéåå ³éæ ̈¡å1/4
ICE3BS02G INFINEON10+SOP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº500Vå ̄å ̈åå
ICE3BS02 INFINEON10+SOP-8离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº500Vå ̄å ̈åå
ICE3BR4765J INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: PG-DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Innendurchmesser (max.): 0,5 A; RDS (ein) (typisch): 4,7 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3BR2565JF INFINEON10+TO-220-6CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-TO220-6; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 650,0 V; Identifikation (max): 1,8 A; RDS (ein) (typisch): 2,5 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3BR1765JZ INFINEON10+DIP-7CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-7; VDS (max): 650,0 V; Zulässigkeit (max.): 1,5 A; RDS (ein) (typisch): 1,7 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3BR1065JF INFINEON10+TO-220-6CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-TO220-6; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 650,0 V; ID (max): 3,0 A; RDS (ein) (typisch): 1,0 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3BR0665JZ INFINEON10+DIP7-KARTONCoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-TO220-6; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 4,8 A; RDS (ein) (typisch): 0,59 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3BR0665JF INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-TO220-6; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 4,8 A; RDS (ein) (typisch): 0,59 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3BR0665J INFINEON10+DIP-8oolSET⢠F3; Gehäuse: PG-TO220-6; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 650,0 V; Innerer Nennwert (max.): 4,8 A; RDS (ein) (typisch): 0,59 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3B5565P INFINEON10+TO-220-6-47离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈åå /çCoolMOS
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ICE3B3565P INFINEON10+TO-220-6-47离线å1/4å1/4å ³çμæºçμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈ï1/4éæäº?650Vå ̄å ̈åå /çCoolMOS
ICE3B3065P INFINEON10+TO-220-6CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-TO220-6; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 650,0 V; ID (max): 3,0 A; RDS (ein) (typ): 2,1 Ohm; Ptot (max): -;
ICE3B2565 INFINEON10+DIP-8CoolSET⢠F3; Gehäuse: PG-DIP-8; Gehäuse: DIP-8; VDS (max): 650,0 V; Zulässigkeit (max.): 2,5 A; RDS (ein) (typisch): 0,65 Ohm; Ptot (max): -;

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