ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS®工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换信号时拥有出色的线性度和低失真性能。
iCMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。
ADG1411/ADG1412/ADG1413均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1411与ADG1412的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1411开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1412开关接通则为逻辑1。ADG1413有两个开关的数字控制逻辑与ADG1411相似，但其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。
ADG1413为先开后合式开关，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。
产品聚焦
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整个温度范围内的最大导通电阻：2.6 Ω
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极低失真.
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超低功耗：小于0.03 μW。.
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16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装.
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统
继电器替代方案