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25AA640-I/SN |
MIKROFON |
10+ |
64K 1,8V SPI Bus Serielles EEPROM (1,8~5,5V,1MHz,64Kä1/2,10Mæ¦åå ̈æ,EEPROM) |
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25LC640T-I/SN |
MIKROCHIP |
10+ |
Serielles EEPROM mit 64K-SPI-Bus |
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24LC515T-I/SM |
MIKROCHIP |
10+ |
512 K, 64 K x 8, 2,5 V SER EE, -40 °C bis +85 °C, 8-SOIC 208mil, T/R |
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GLS29VF040-70-4I-NHE |
GLT |
10+ |
DIGITALE FESTKOMMA-SIGNALPROZESSOREN |
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GLS27SF512-70-3C-NHE |
GLT |
10+ |
DIGITALE FESTKOMMA-SIGNALPROZESSOREN |
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GLS27SF020-70-3C-PHE |
GLS-SST |
10+ |
DIGITALE FESTKOMMA-SIGNALPROZESSOREN |
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CY7C1399B-15VXC |
ZYPRESSE |
10+ |
IC SRAM 32KX8 3.3V ASYNC 28-SOJ |
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CY7C1019DV33-10ZSXI |
CY |
10+ |
å ä1/2ï1/4128Kçà 8ï1/4éæRAM |
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CY62146EV30LL-45BVXI |
CY |
10+ |
4 Mbit (256 KB x 16) Statischer RAM |
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CY7C1021DV33-10ZSXIT |
ZYPRESSE |
10+ |
Arbeitsspeicher 1M 512K IND FAST ASYNC SRAM TSOP-II |
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CY62158EV30LL-45BVXI |
ZYPRESSE |
10+ |
8 Mbit (1024 KB x 8) Statischer RAM |
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CY62128ELL-45ZXIT |
ZYPRESSE |
10+ |
MoBL mit® 1 Mbit (128 x 8) statischem RAM |
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CY62146EV30LL-45ZSXIT |
åè£ CYPRE |
10+ |
4 Mbit (256 KB x 16) statischer RAM; Dichte: 4 Mb; Organisation: 256 KB x 16; Vcc (V): 2,20 bis 3,60 V; |
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CY62146ELL-45ZSXIT |
Zypresse |
10+ |
4 Mbit (256 KB x 16) statischer RAM; Dichte: 4 Mb; Organisation: 256 KB x 16; Vcc (V): 4,50 bis 5,50 V; |
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CY7C1325G-133AXC |
ZYPRESSE |
10+ |
2 Mbit (128 KB x 16) Statischer RAM |
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CY62137EV30LL-45ZSXI |
ZYPRESSE |
10+ |
2 Mbit (128 KB x 16) Statischer RAM |
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CY7C1363C-133AXC |
ZYPRESSE |
10+ |
9 Mbit (256 K x 36/512 K x 18) Flow-Through-SRAM |
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CY7C1041DV33-10BVXI |
ZYPRESSE |
10+ |
4 Mbit (256 KB x 16) statischer RAM |
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CY62167DV30LL-55ZXI |
Zypresse |
10+ |
16 Mbit (1 MB x 16) statischer RAM |
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CY7C1021D-10ZSXIT |
Zypresse |
10+ |
1 Mbit (64K x 16) statischer RAM; Dichte: 1 Mb; Organisation: 64 KB x 16; Vcc (V): 4,5 bis 5,5 V; |
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