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K9F8G08U0M-PCB0 |
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15+ |
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K9K8G08U0D-SCB0 |
SAMSUNG |
14+ |
1GB SLC FLASHéªåè ̄ç |
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IS61LV51216AL-12T |
ISSI |
13+ |
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AT49BV322D-70TU |
ATMEL |
09+ |
32å ä1/2ï1/42ç±³x 16/4M à 8ï1/43ä1/4ï1/4åªæéªå |
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K9GAG08UOD-PCBO |
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12+ |
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K9KAG08U0M |
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12+ |
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MT29F2G16AABWP |
MT |
10+ |
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MSP430F249MPMEP |
TI |
12+ |
60KBéªå |
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NT5TU64M16GG-ACI |
NANYA |
12+ |
å åè ̄ç |
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MT48LC4M32B2P-6 |
MIKRON |
12+ |
éªåè ̄ç |
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K9F2G08UOC-SIBO |
SAMSUNG |
12+ |
å ̈æ°åè£ å åè ̄ç |
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STM8AF51AATC |
ST |
11+ |
æ±1/2è1/2¦8ä1/2MCUï1/4é«è3/43/4128 KBçéªå |
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MP3410DJ |
MPS |
11+ |
å ̧¦USBæ¥å£çé³é¢åè ̄é³è®°å1/2ï1/4ä ̧»è¦è§£ç å ̈ï1/4éªåMP3é³é¢ææ3/4å ̈åºç ̈ç ̈åº |
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PIC24FJ64GA004 |
MIKROCHIP |
11+ |
44éï1/432KBï1/4éªå |
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MT29F2G08AADWP |
Mikron |
10+ |
NAND-Flash-Speicher; Dichte: 2 GB; Organisation: 256Mbx8; Bits/Zelle: SLC; I/O: Allgemein; Versorgungsspannung: 3,3 V; Betriebstemperaturbereich: 0 ° bis +70 °C; P |
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K4T1G164QA-ZCE6000 |
SAMSUNG |
09+ |
1GBçè ̄çDDR2å åè§æ 1/4 |
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STM32F103CBT6 |
ST |
10+ |
ARM-basierte 32-Bit-MCU mit mittlerer Dichte und 64 oder 128 KB Flash, USB, CAN, 7 Timern, 2 ADCs, 9 Kommunikationsschnittstellen |
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SST25WF010-40-5I-SAF |
SST |
10+11+ |
åå ̈å ̈ éªå |
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XC4010E-4PQ160I/0377 |
XILINX |
10+ |
Field Programmable Gate Array (FPGA) |
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XC4028XLA-09HQ240I |
XILINX |
10+ |
C-INT PROG LCA 4028XLA 3V PQ240 CMS |
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