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IPB70N04S3-07 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB50N10S3L-16 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB47N10SL-26 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB47N10S-33 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB45P03P4L-11 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB45N06S4L-08 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB45N06S4-09 |
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10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB45N06S3L-13 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB45N06S3-16 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB45N04S4L-08 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB25N06S3L-22 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB25N06S3-25 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
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IPB22N03S4L-15 |
INFINEON |
10+ |
Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
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IPB180N06S4-H1 |
INFINEON |
10+ |
Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
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IPB180N04S4-H0 |
INFINEON |
10+ |
Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
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IPB180N04S4-00 |
INFINEON |
10+ |
Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
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IPB180N04S3-02 |
INFINEON |
10+ |
Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
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IPB180N03S4L-H0 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
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IPB180N03S4L-01 |
INFINEON |
10+ |
OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
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IPB160N04S4-H1 |
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OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
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