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IRFL110TR |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A) |
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IRFL110PBF |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A) |
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IRFL110 |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A) |
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IRFP044PBF |
IR |
11+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung |
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IRFP044 |
IR |
11+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung |
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IRFP048RPBF |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A) |
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IRFP048R |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A) |
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IRFP048PBF |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A) |
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IRFP048 |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A) |
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IRFP054PBF |
IR |
11+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung |
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IRFP054 |
IR |
11+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung |
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IRFP064PBF |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî) |
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IRFP064 |
IR |
11+ |
Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî) |
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IRFP140PBF |
IR |
11+ |
N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4) |
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IRFP140 |
IR |
11+ |
N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4) |
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IRFP150PBF |
IR |
11+ |
40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (40A, 100V, 0.055 Ohm, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
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IRFP150 |
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11+ |
40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (40A, 100V, 0.055 Ohm, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
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IRFP240PBF |
IR |
10+ |
HEXFETåçMOSåºæåºç®¡ |
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IRFP240 |
IR |
10+ |
HEXFETåçMOSåºæåºç®¡ |
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IRFP2410 |
IR |
10+ |
100 V, 61 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (100 V, 61 A, Næ²é HEXFETåçMOSåºæåºç®¡) |
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