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MLF1608E6R8JT000 |
TDK |
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MLF1608E6R8K |
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MLF1608E6R8J |
TDK |
14+ |
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MLF1608E100J |
TDK |
14+ |
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MLF1608E100K |
TDK |
14+ |
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MLF1608E5R6K |
TDK |
14+ |
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MLF1608E8R2K |
TDK |
14+ |
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MLF1608E5R6J |
TDK |
14+ |
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MLF1608E8R2J |
TDK |
14+ |
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MLF1608E120K |
TDK |
14+ |
MLF1608E120K è''çå å±çμæ0603åè£ è¿å£TDKçμæéæ°§ä1/2çμæ |
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MLF1608E120J |
TDK |
14+ |
MLF1608E120Jè''çå å±çμæ0603åè£ è¿å£TDKçμæéæ°§ä1/2çμæ12UH |
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MLF1608E100KTD00 |
TDK |
14+ |
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LQM2HPN4R7MGCL |
Murata Manufacturing Co Ltd |
14+ |
Feststehende Induktivitäten 1008 4.7uH +/-20% 800mA DCR .225ohm |
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IHLP1212BZERR56M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP Serie 1212 0,56 uH 20 % 5,5 A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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IHLP1212AEERR33M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP Serie 1212 0,22 uH 20% 8,5A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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IHLP1212AEERR22M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP Serie 1212 0,22 uH 20% 8,5A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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IHLP1212AEER1R0M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP Serie 1212 1uH 20% 3,9 A abgeschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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IHLP1212ABERR33M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP-Serie 1212 0,33 uH 20 % 7,2 A abgeschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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IHLP1212ABERR68M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP Serie 1212 0,68 uH 20 % 4 A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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IHLP1212BZERR36M11 |
Vishay |
14+ |
IHLP Serie 1212 0,36 uH 20% 6,3A geschirmte Hochstrom-SMT-Induktivität mit niedrigem Profil |
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