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M321R4GA3EB0-CWM |
Samsung (Englisch) |
2019 |
UDIMM DDR5 16GB4800Mbps |
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M321R4GA0EB2-CCP |
Samsung (Englisch) |
2019 |
UDIMM DDR5 16GB4800Mbps |
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M321R4GA0EB0-CWM |
Samsung (Englisch) |
2019 |
UDIMM DDR5 16GB4800Mbps |
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M321R2GA3EB2-CCP |
Samsung (Englisch) |
2019 |
UDIMM DDR5 16GB4800Mbps |
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MT48LC32M8A2P-7EAT:G |
Micron Technology Inc |
19+ |
Synchroner DRAM, 32MX8, 5,4 ns, CMOS, PDSO54 |
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MT48LC32M8A2P-7EIT:G |
Micron Technology Inc |
19+ |
Synchroner DRAM, 32MX8, 5,4 ns, CMOS, PDSO54 |
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MT41K512M16HA-125IT:A |
Micron Technology Inc |
24+ |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
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IS61WV51232BLL-10BI |
ISSI |
2019 |
SRAM, 4MBIT, 10NS, 90TFBGA |
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MT40A512M16JY-075EIT:B |
Micron Technology Inc |
2024+ |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
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IDT6116SA45P |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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IDT6116SA150DB |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA90DB |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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Artikel-Nr.: 6116SA45TP |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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Artikel-Nr.: 6116SA20SOG8 |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA120DB |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA25SOG |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA90TDB |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA45TDB |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA45DB |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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6116SA25TPG |
IDT (EIN UNTERNEHMEN VON RENESAS) |
23+ |
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM |
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