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  • 产åå称ï1/4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 20; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,02; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V[4,5 V]: 0,035; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V
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2SK2735L MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 20; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,02; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V[4,5 V]: 0,035; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -; Ciss (pF) typ: 750; TOFF (μS) Typ: 0,85; Gehäuse: DPAK (S)

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2SK2735L RENESAS2010+TO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 20; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,02; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V[4,5 V]: 0,035; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V

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AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
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HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
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RENESASåç产åæ ̈è


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2SK2735S RENESAS2010+TO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 20; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,02; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V[4,5 V]: 0,035; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V
FS70SM-06 RENESAS10+TO-3P20 Zeichen x 2 Zeilen, 5x7 Punktmatrix-Zeichen und Cursor
FS70SM-2 RENESAS10+TO-3PNch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
H5N2503P-E RENESAS10+TO-3PMOSFET, schaltend; VDSS (V): 250; Kennung (A): 50; Pch : 150; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,04; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2016R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 6,5; Pch : 3; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,03; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,05; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2016R RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 6,5; Pch : 3; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,03; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,05; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2020R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 8; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,02; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V[4,5 V]: 0,03; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2020R RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 8; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,02; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V[4,5 V]: 0,03; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2022R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 11; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,012; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,017; RDS (ON) typ. (Ohm) @2.
HAT2022R RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 11; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,012; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,017; RDS (ON) typ. (Ohm) @2.
HAT2024R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 5,5; Pch : 3; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,05; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,078; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V
HAT2024R RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 5,5; Pch : 3; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,05; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,078; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V
HAT2025R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 8; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,019; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,03]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2.
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HAT2036R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 12; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,012; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,02]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
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HAT2040R-EL-E RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 15; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0062; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,009; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
HAT2040R RENESAS10+SOP-8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 15; Pch : 2,5; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0062; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,009; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
HAT2043R-EL-E RENESAS10+SOP-8Metallfilmwiderstände, Präzision, ultrahohe Stabilität, PTF-56 487K 1% T-16 EK e3
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