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2N7002E-T1
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- ååï1/4Vishay
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| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
2N7002E-T1
| Vishay | 03+ | SOT-23 | å ̈æ°åè£ |
|
2N7002ET1G
| AUF | 2010+ | SOT-23 | Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
|
2N7002ET3G
| AUF | 2010+ | SOT-23 | Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23 |
|
2N7002E
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400 @[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V |
|
2N7002ET1G
| AUF | 10+ | DIP | |
|
2N7002E-T1-E3
| WINBOND | 01+ | DIP22 (Englisch) | |
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Vishayåç产åæ ̈è