| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
IKB20N60T |
INFINEON |
2009+ |
IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 2 |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IKB15N60T |
INFINEON |
2009+ |
IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 2 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IKB10N60T |
INFINEON |
2009+ |
å¿«æ¢å¤äºæ管 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IKB06N60T |
INFINEON |
2009+ |
å¿«æ¢å¤äºæ管 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IKB04N60T |
INFINEON |
2009+ |
å¿«æ¢å¤äºæ管 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGD06N60T |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 12 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGD01N120H2 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25° |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGB30N60T |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 6 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGB15N60T |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 3 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGB03N120H2 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGB01N120H2 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管GBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25° |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IGA03N120H2 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: -; Ich |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDW75E60 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 75,0 A; ZF (max): 120,0 A; IF,SM (max): 220,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40,0 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDW100E60 |
INFINEON |
1012+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 100,0 A; WENN (max): 150,0 A; IF,SM (max): 400,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40. |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
