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DSI45-12A |
IXYS |
14+ |
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MBRB20200CT |
AUF |
12+ |
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RHRD660 |
FAIRCHILD |
10+ |
6A, 600V Hyperschnelle Dioden (6A,600V è¶ å¿«éäºæ管) |
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IRG4BC20KD-SPBF |
IR |
10+ |
® BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE UND ULRTAFAST SOFR-WIEDERHERSTELLUNGSDIODE |
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IPS2041LTRPBF |
IR |
2010+ |
æºè1/2åçä1/2ä3/4§å1/4å ³INTELLIGENT POWER LOW-SIDE-SCHALTER |
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SI4410DYTRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4410DYTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFIZ44NPBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFB3307ZPBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRG4IBC20FDPBF |
IR |
2010+ |
ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
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IRFR2405TRPBF |
IR |
2011 |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF1503SPBF |
IR |
2011 |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRG4PSC71UDPBF |
IR |
2011 |
ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
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IKW03N120H2 |
INFINEON |
10+ |
IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: |
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IKP20N60T |
INFINEON |
10+ |
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IKP15N60T |
INFINEON |
10+ |
ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管 |
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IKP10N60T |
INFINEON |
10+ |
ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管 |
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IKP06N60T |
INFINEON |
10+ |
ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管 |
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IKP04N60T |
INFINEON |
10+ |
ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管 |
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IKP03N120H2 |
INFINEON |
10+ |
IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: |
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IKP01N120H2 |
INFINEON |
10+ |
IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: |
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