ISL70001SRHEVAL1Z

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ISL70001ASEHæ ̄ä ̧æ¬3/4ç»è¿è3/4å°ç¡¬ååSEE硬åçé«æåçå1/4åæ¥éåç ̈³åå ̈ï1/4éæäºMOSFETãè ̄¥åè ̄ççμæºè§£å££££ ́å³æ¹æ¡å ̄å ̈3Vè³5.5Vçè3/4å ¥ç μåèå'å å·¥ä1/2ï1/4并æä3/4ä ̧¥æ 1/4è°èçè3/4åºçμåï1/4å ̄å ̈å¤é ̈è°èè3/4å ¥çμåç0.8Vè³85ï1/4 ãå ̄¹äºT J <+ 145°C，输出负载电流容量为6A 。

ISL70001ASEHå©ç ̈å³°å1/4çμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å®ç°ºè²çè3/4åºè'è1/21/2ç¬æååºï1/4并具æéæè¡¥å¿åå1/4å ³ï1/4åºå®é¢çä ̧º1MHzï1/4以¥å°å 件尺å ̄ ̧åæ°éãå ̈éè¦ä ̧¤ä ̧ªPOLçåºç ̈ä ̧ï1/4ä ̧¤ä ̧ªISL70001ASEHå ̈件å ̄以180°å1/4ç ̧åæ¥ï1/4 以éä1/2æ»è3/4å ¥RMS纹波çμæμãå é ̈åæ¥çμæºå1/4å ³ç»è¿ä1/4åï1/4å ·æé«æçåè ̄å¥1/2çæ£çæ§è1/2ã

ISL70001ASEHéæäºç ̈³åå ̈çæ éä¿æ¤åè1/2ãä¿æ¤çμè· ̄å æ¬è3/4å ¥æ¬ åï1/4è3/4åºæ¬ ååè3/4åºè¿æμã

é«éæ度åé¢å çè3/4å°èåæ§ä1/2¿ISL70001ASEHæä ̧ºå1/2ä»è® ̧å¤å°ååºç ̈ççæ³éæ©ãä ̧¤ä ̧ªå ̈件å ̄以åæ¥ï1/4ä ̧ºå¤§è§æ ̈¡æ°åICæä3/4å®æ'ççμ æºè§£å³æ¹æ¡ï1/4å¦ç°åºå ̄ç1/4ç ̈é ̈éμåï1/4FPGAï1/4ï1/4éè¦åç¬çå æ ̧åI / Oçμåã
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çº¿è· ̄ï1/4è'è1/21/2ï1/4æ ̧©åº¦åè3/4å°ç±1ï1/4 åèçμå çμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̄å®ç°åºè²çå ̈æååº å ̈æ ̧©åº¦èå'æä1/2ï1/4T A = -55°Cè³+ 125°Cï1/4å ³æçμæºçμæμ æ ̄ISL70001SEHä1/250ï1/4 éç ̈èçå¢å1/4ºåæ£çå ̈å°è£ - R48. B é«æï1/4å³°å1/4æçé«è3/43/494ï1/4 å·¥ä1/2çμåä ̧º3Vè³5.5V å ̄è°è3/4åºçμåä ̧¤ä ̧ªå¤é ̈çμé»å°V OUTè®3/4ç1/2®ä ̧ºV INç 0.8Vè³~85ï1/4 ååSYNCå1/4èå è® ̧ä ̧ä ̧¤ä ̧ªå ̈件以 180°å1/4ç ̧åæ¥ çμæºè ̄å¥1/2çè3/4åºçμåçè§å ̈ å ̄è°æ ̈¡æè1/2 ̄å ̄å ̈ è3/4å ¥æ¬ åï1/4è3/4åºæ¬ ååè3/4åºè¿æμä¿æ¤ çμå±è1/2å°DLA SMD 5962-09225 QML符å MIL-PRF-38535è¦æ± è3/4å°ç¡¬åº¦æ»åé[50-300radï1/4Siï1/4/ s]ï1/4100kradï1/4Siï1/4æ»åé[<10mrad（Si）/ s]：100krad（Si）* *通过初始表征确定的产物能力。EH版本在逐个晶圆的基础上以低剂量率对50krad（Si）进行验收测试。看到硬度SEL和SEB LET eff：86.4MeV / mg / cm 2分钟SEFI X形截面（LET eff = 86.4MeV / mg / cm 2）最大1.4×10 -6 cm 2SET LET eff（<1脉冲扰动）86.4MeV / mg / cm 2 min